Na FER-u razvijen najbrži silicijski bipolarni tranzistor na svijetu

Na FER-u razvijen najbrži silicijski bipolarni tranzistor na svijetu

Istraživači FER-ovog Laboratorija za mikro i nano elektroniku (MiNEL) razvili su najbrži čisti silicijski bipolarni tranzistor na svijetu, baziran na novom konceptu bipolarnih tranzistora.

Najnoviji trendovi u razvoju poluvodiča (odnosno tranzistora) odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje što jednostavnijeg proizvodnog procesa kako bi im cijena bila što niža. Novi tip tranzistora koji su razvili FER-ovi istraživači laboratorija MiNEL, pod vodstvom prof. dr. sc. Tomislava Suligoja, posjeduje sve navedene kvalitete.

U spomenutom laboratoriju, u okviru projekta Nexgensemi, provode se i druga istraživanja poput naprednih poluvodičkih fotodetektora za eksperimente u CERN-u, teorijskih modeliranja galij-nitridnih tranzistora i ostalih naprednih poluvodičkih struktura te projektiranja radiokomunikacijskih integriranih sklopova.

Više informacija o njihovom radu može se vidjeti u HRT-ovoj emisiji Prometej u donjem videu.